На выставке Computex 2009 в начале этого месяца компания Globalfoundries показала образцы 28 нм продукции - ими стали кремниевые пластины с микросхемами памяти SRAM на монолитной подложке. Заказы на выпуск чипов по 28 нм технологии компания начнёт принимать в первой половине следующего года.

Вчера на страницах сайта Globalfoundries появился новый пресс-релиз, который поведал об успехах компании в освоении 22 нм технологического процесса. В сотрудничестве с IBM компании Globalfoundries удалось уменьшить эквивалентную толщину подзатворного оксида до значений, позволяющих выпускать транзисторы с металлическим затвором и материалами с высоким значением диэлектрической константы (high-k) по 22 нм технологии. 

Для поддержания высокой точности переключения затвора в транзисторе эквивалентная толщина слоя подзатворного high-k диэлектрика должна уменьшаться, но это влечёт повышение токов утечки, выливающееся в повышение энергопотребления и тепловыделения транзистора. IBM и Globalfoundries удалось преодолеть эти барьеры, что позволит приступить к производству полупроводниковых микросхем по 22 нм технологии, а также более тонким технологическим нормам. В качестве образцов были продемонстрированы металл-оксидные полупроводниковые силовые транзисторы с каналом n-типа и каналом p-типа, обладающие эквивалентной толщиной подзатворного оксида 0,55 нм и 0,7 нм соответственно. Globalfoundries пока ориентирует 22 нм техпроцесс на изготовление микрочипов с низким уровнем энергопотребления, используемых в мобильных устройствах. Со временем будет освоена версия 22 нм техпроцесса для производительных продуктов типа процессоров, чипсетов и видеочипов.